膜片鉗技術是通過測量pA級細胞離子通道電流來研究各種離子通道及其調控機制,但測量對象和測量儀器本身引入的快電容(C-fast)和慢電容(C-slow)偽差信號,會改變動作電位的發放特性。本文首先討論快電容偽差信號對膜電容以及膜電位的影響,并且通過對H-H模型中膜電位變化的分析,得出膜電位變化對動作電位發放特性的影響。在此基礎上,主要通過對傳統快電容補償誤差的分析,討論其影響機制,并對電極電容形狀對快電容的影響進行了重點討論。通過這種方法不僅可以大大提高補償速度,而且從電極形狀上也可以盡量提高補償的精度。