在磁共振引導的加速器系統中，面臨的主要技術挑戰之一是磁共振系統中的外磁場會對加速器中的電子束產生干擾，進而影響加速器的正常工作。為了抑制磁場干擾，利用高磁導率的材料設計了一種開口結構的磁屏蔽筒。使用三維電磁場有限元分析軟件 ANSYS Maxwell 仿真亥姆霍茲線圈，其產生的勻強磁場代替影響加速器電子槍的磁共振外磁場，對屏蔽筒磁導率、半徑、長度、側邊厚度、底邊厚度、外磁場磁感應強度參數進行仿真求解，使用 MATLAB 進行數據處理來比較屏蔽性能，給出了最優半徑與長度時不同側邊厚度與底邊厚度的屏蔽效能表，可完全滿足磁共振引導的加速器系統的需求。